3. Germanio ir silicio diodų charakteristikos

Tiesiogine kryptimi įjungto germanio diodo slenkstinė įtampa yra apie 0,3–0,4 V, taigi akivaizdžiai mažesnė negu silicio diodo (3 pav.). Taip yra todėl, kad tiesiogine kryptimi įjungtu diodu pradeda tekėti srovė, kai prijungta išorinė įtampa viršija vidinį kontaktinį potencialų skirtumą.

Tolesnė voltamperinių charakteristikų eiga rodo lėkštesnę germanio charakteristikų eigą. Germanio diodų diferencialinė varža yra gerokai didesnė negu silicio diodų.

3 pav. Diodų voltamperinės charakteristikos: 1 – ideali silicio, 2 – reali silicio, 3 – reali germanio

Germanio diodų atvirkštinė charakteristika nėra tokia staigi, pareinant diodui į pramušimo sritį. Tą sąlygoja mažesnė germanio atomų valentinių elektronų ryšio energija. Didinant atvirkštinę įtampą germanio diodo srovė nuolat didėja. Viršijus tam tikrą atvirkštinės pramušimo įtampos reikšmę, galima pasiekti šiluminį pramušimą. Dėl tekančios srovės diodo kristalas įkais ir PN sandūra gali būti sugadinta.