Įvadas

Elektronikos srities išradimai ir įvykiai nulėmę šiuolaikinės elektronikos atsiradimą:

1823 m. atrastas silicis;

1833 m. anglas M. Faradėjus (Faraday) tyrinėjo puslaidininkio savybes;

1859 m. vokietis D. Plukeris (Julius Plücker)atranda katodinius spindulius;

1876 m. W. Symensas (Siemens) atrado lygintuvinį efektą pagal seleno jautrumą šviesai;

1883–84 m. T. Edisonas (Edison) atrado termoelektroninės emisijos reiškinį;

1886 m. atrastas germanis;

1892 m. vokiečiai J. Elsteris, H. Gaitelis pagamino fotoelementą;

1896 m. rusas A. Popovas sukuria radijo ryšį;

1897 m. italas G. Markonis sukonstruoja radijo imtuvą;

1897 m. vokietis K. F. Braunas pagamino elektroninės lempos prototipą – Brauno lempą;

1901 m. vokietis K. F. Braunas pagamino kristalinį radijo detektorių;

1904 m. anglas D. Flemingas (Fleming) pagamino elektroninę lempa (diodą);

1904 m. sukurtas taškinis diodas;

1906 m. amerikietis L. D. Forestas (Lee De Forest) sukūrė triodą – į diodą įmontavo valdymo elektrodą;

1920 m. JAV pagaminta pirmoji radijo stotis;

1926 m. anglas Dž. L. Berdas sukūrė televizorių;

1929 m. pasiūlyta MOP lauko tranzistoriaus sukūrimo idėja – J. Lilienfeldo (Lilienfeld) patentas;

1933 m. vokiečiai E. Ruska, M. Knolis pagamino elektroninį mikroskopą;

1934 m. Zinerio (Zener) efektas;

1935 m. anglai R. Vatsonas, Dž. Vatas sukuria radarinę sistemą;

1938 m. sukurtas silicio mikrobangų detektorius;

1938 m. V. Šotkis (Shottky) sukūrė metalo ir puslaidininkio kontakto teoriją;

1939 m. anglas Dž. L. Berdas sukuria spalvotą televizorių;

1941 m. sukurtas germanio diodas;

1942 m. V. Šotkis (Shottky) tyrė metalo ir puslaidininkio sandūrą;

1946 m. sukurtas silicio fotoelementas;

1946 m. amerikietis Dž. Ekertas sukuria ESM (kompiuterį);

1947 m. amerikietis Dž. Bardynas (Bardeen), amerikietis V. Bratenas (Brattain), anglas V. Šoklis (Shockley) sukūrė dvikrūvį tranzistorių;

1948 m. amerikiečiai Dž. Bardynas, V. H. Bratenas sukuria taškinį tranzistorių;

1949 m. amerikietis V. Šoklis sukuria plokštuminį tranzistorių;

1949 m. sukurtas fototranzistorius;

1952 m. sukurtas lauko tranzistorius su valdančiąją PN sandūra;

1954 m. JAV pradedama serijinė silicio tranzistorių gamyba;

1955 m. prasideda puslaidininkių tyrimai Lietuvoje;

1956 m. sukurtas difuzinis tranzistorius; tiristorius;

1957–58 m. L. Esakis (Esaki) sukuria tunelinį diodą;

1957–59 m. amerikiečiai Dž. Kilbis (Kilby) ir R. Noisas (Noyce) pasiūlė mikrograndynų realizavimo viename kristale idėją;

1960 m. sukurtas planarusis epitaksinis tranzistorius, MOP lauko tranzistorius su SiO₂;

1961 m. JAV firmos pagamino pirmuosius puslaidininkinius mikrograndynus;

1962 m. sukurtas šviesos diodas ir puslaidininkinis lazeris;

1963 m. sukurtas GaAs lauko tranzistorius;

1964 m. sukurtas gano diodas;

1977 m. JAV nutraukta masinė elektroninių lempų gamyba.