Dvikrūviai tranzistoriai

Tarkim, NPN tranzistorius įjungtas pagal bendrosios bazės junginį ir dirba stiprinimo režimu (4 pav.). Prijungus tiesioginę įtampą prie emiterio sandūros (maitinimo šaltinio minusas prie N srities emiterio ir pliusas prie P srities bazės), iš N srities į P sritį injektuojami elektronai, o iš P srities į N sritį – skylės. Atvirkštine kryptimi įjungus kolektoriaus sritį, susiformuoja plati PN sandūra. Kadangi emiterio sritis labai legiruota, o bazės sritis labai plona, dauguma iš emiterio srities injektuotų į bazės sritį elektronų difunduoja link kolektoriaus srities ir, veikiami kolektoriaus sandūros potencialo barjero, pereina į kolektoriaus sritį. Tik labai maža dalis elektronų rekombinuoja bazėje.

4 pav. Dvikrūvio tranzistoriaus bendrosios bazės junginys

Norint padidinti statinį emiterio srovės perdavimo koeficientą A, reikia didinti injekcijos ir pernešimo per bazę koeficientus. Injekcijos koeficientą galima padidinti mažinant pagrindinių krūvininkų tankį bazėje ir didinant pagrindinių krūvininkų tankį emiteryje. Pernešimo per bazę koeficientas didėja mažinant bazės storį.