2. Konstrukcija ir darbo režimai

Pagal gamybos būdą dvikrūviai tranzistoriai skirstomi į difuzinius, epitaksinius, planariuosius. Planariojo dvikrūvio NPN tranzistoriaus struktūra parodyta 2 paveiksle. Tranzistoriaus išvadai prijungti prie puslaidininkinių kristalų per labai mažos varžos kontaktus. Sandūra tarp emiterio ir bazės vadinama emiterio sandūra, sandūra tarp kolektoriaus ir bazės – kolektoriaus sandūra. Paprastai emiterio sritis labai legiruojama, bazė suformuojama labai plona. Aiškinant veikimo principą, galima remtis paprasčiausiu tranzistoriaus modeliu, kurį sudaro trys NPN sritys ir dvi PN sandūros (3 pav.).

2 pav. Planariojo dvikrūvio NPN tranzistoriaus struktūra

3 pav. Supaprastinta dvikrūvio NPN tranzistoriaus struktūra

Priklausomai nuo to, kuris tranzistoriaus išvadas parenkamas bendras įėjimui ir išėjimui, skiriami trys dvikrūvio tranzistoriaus jungimo atvejai: bendrosios bazės, bendrojo emiterio ir bendrojo kolektoriaus. Pagal PN sandūrų įtampų poliškumą galimi keturi tranzistoriaus darbo režimai: stiprinimo – kai emiterio sandūrą veikia tiesioginė įtampa, o kolektoriaus – atvirkštinė įtampa; uždarymo – kai abi sandūras veikia atvirkštinė įtampa; soties – kai abi sandūras veikia tiesioginė įtampa; inversinis – kai emiterio sandūrą veikia atvirkštinė, o kolektoriaus sandūrą – tiesioginė įtampa.