3. Lauko tranzistorius su valdančiąja metalo ir puslaidininkio sandūra

Lauko tranzistoriaus su valdančiąja metalo ir puslaidininkio sandūra pagrindui naudojamas mažai legiruotas galio arsenidas. Pagrindo specifinė varža didelė, todėl jį galima laikyti dielektriku. Ant pagrindo užauginamas plonas epitaksinis N tipo galio arsenido sluoksnis. Ant šio sluoksnio sudaromi ištakos ir santakos metaliniai elektrodai. Užtūros elektrodui panaudota tokia medžiaga, kad tarp užtūros elektrodo ir epitaksinio N sluoksnio susidarytų Šotkio barjeras. Veikiant užtūros įtampai, nuskurdęs sluoksnis po užtūros elektrodu storėją o N kanalas plonėja.

Lauko tranzistorius su valdančiąja Šotkio sandūra pasižymi greitaveiką nes galio arsenidui būdingas didesnis krūvininkų judrumas ir mažesnė šalutinių krūvininkų gyvavimo trukmė. Priklausomai nuo epitaksinio N sluoksnio storio gaminami ne tik normaliai atidaryti, bet ir normaliai uždaryti lauko tranzistoriai.